一款高精度宽温度范围TCXO芯片的设计

来源 :微电子学与计算机 | 被引量 : 0次 | 上传用户：chenzhipengo

【摘要】

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本文基于SMIC 0.35μm标准CMOS工艺设计了一款高精度、宽温度补偿范围的温度补偿晶体振荡器（TCXO）芯片.利用函数发生电路产生符合f-T关系的五次多项式电压,电路产生电压与f-T特

【作者】

：

李晓宇徐静平钟德刚季峰

【机构】

：

华中科技大学电子科学与技术系

【出处】

：

微电子学与计算机

【发表日期】

：

2012年1期

【关键词】

：

TCXO 温度补偿三次方函数五次方函数 TCXO temperature compensated cubic function fifth order

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本文基于SMIC 0.35μm标准CMOS工艺设计了一款高精度、宽温度补偿范围的温度补偿晶体振荡器（TCXO）芯片.利用函数发生电路产生符合f-T关系的五次多项式电压,电路产生电压与f-T特性表达式中的对应项相符合,求和电路可对各项系数进行单独调整.电路参数的调整范围使得大部分AT切石英晶体均适用于本设计.测试结果表明,在-40℃～105℃的温度范围内,TCXO频率稳定性达到±0.6ppm.

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