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主要讨论了Hoyer系统具有Hamilton结构的参数条件,得到的结果相对于文献[3]的结果更准确更易于应用.
Hoyer系统的Hamilton结构研究
【摘 要】
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主要讨论了Hoyer系统具有Hamilton结构的参数条件,得到的结果相对于文献[3]的结果更准确更易于应用.
【机 构】
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云南大学数学系
【出 处】
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昆明师范高等专科学校学报
【发表日期】
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2004年4期
【基金项目】
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国家自然科学基金，云南省自然科学基金
其他文献
采用PECVD 法淀积的TiSi_2薄膜与硅衬底能形成良好的接触,其肖特基势垒高度经J-V 和C-V法测试得知,分别为0.65eV 和0.58eV.同时经测量得到了较理想的肖特基势垒二极管伏安特