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采用化学气相沉积法(CVD)制备高质量的纳米二硫化钼薄膜,并对纳米二硫化钼薄膜在形貌和尺寸调控方面开展了探究工作。实验研究表明:CVD制备的反应温度是影响二硫化钼合成的关键要素,利用CVD法调节反应温度可获得三角形和飞镖形两种形貌的二硫化钼薄膜,在不同反应温度下制备的三角形二硫化钼,其尺寸大小也不同。本文初步探究了反应温度与有效成核点数目的关系。研究成果对于大规模合成MoS2样品有一定指导意义。