【摘 要】
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本文制做了670 nm GaInP/AlGaInP应变层单量子阱脊形波导激光器.为了进一步优化工艺,在普通的单量子阱材料横向结构中嵌入了30～50 nm的GaInP蚀刻阻挡层.用此种材料加工而成的
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本文制做了670 nm GaInP/AlGaInP应变层单量子阱脊形波导激光器.为了进一步优化工艺,在普通的单量子阱材料横向结构中嵌入了30～50 nm的GaInP蚀刻阻挡层.用此种材料加工而成的腔长1 200 μm、宽64 μm的氧化条激光器的阈值电流密度为340 A/cm2.采用配比为1.0∶2.5的HCl∶H2O溶液对GaInP/AlGaInP进行湿蚀刻研究,得到了较好的选择蚀刻性结果.
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