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经研究发现,低温处理能有效打破茗葱种子的上胚轴休眠;3~6cm根长的种子成苗率好于1~3cm的茗葱种子;GA_3200ppm＋乙烯利100ppm处理茗葱生根种子24小时,20℃、光照3000Lux·10h/d条件下培养为打破茗葱种子上胚轴休眠的最佳处理,始成苗时间为20天,成苗率可达36.7%;光照为上胚轴休眠解除的必要条件;当年生种子的成苗率、成苗时间均好于前一年采收的种子。