【摘 要】
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我们用反应蒸发法在氧分压２×１０－２Ｐａ、衬底温度８０～２４０℃条件下蒸发铟－锡合金，在有机薄膜衬底上制备出ＩＴＯ膜，并研究了其结构和光电特性随制备衬底温度的变化．制备膜的最佳取向为（１１１）方向，迁移率为２０．７～３６．７ｃｍ２·Ｖ－１·ｓ－１，载
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我们用反应蒸发法在氧分压２×１０－２Ｐａ、衬底温度８０～２４０℃条件下蒸发铟－锡合金，在有机薄膜衬底上制备出ＩＴＯ膜，并研究了其结构和光电特性随制备衬底温度的变化．制备膜的最佳取向为（１１１）方向，迁移率为２０．７～３６．７ｃｍ２·Ｖ－１·ｓ－１，载流子浓度为（１．７～４．４）×１０２０ｃｍ－３，适当调节制备参数，可得电阻率为６．６３×１０－４Ω·ｃｍ、在可见光区透过率达８２％的有机薄膜衬底ＩＴＯ膜
The ITO film was deposited on an organic thin film substrate by reactive evaporation at an oxygen partial pressure of 2 × 10-2Pa and a substrate temperature of 80-240 ℃. The structure and optical properties of the ITO film were also studied. Preparation of substrate temperature changes. The optimal orientation of the films was (111), the mobility was 20.7 ~ 36.7cm2 · V-1 · s-1 and the carrier concentration was (1.7 ~ 4.4) × 1020cm- Adjust the preparation parameters properly, the resistivity of 6.63 × 10-4Ω · cm, the visible light transmittance of 82% of the organic thin film ITO substrate
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