蒸发法制备CIGS薄膜太阳电池的研究进展

来源 :电源技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xpank

【摘要】

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多元共蒸发技术制备的Cu（In,Ga）Se2（CIGS）薄膜具有结晶质量高,梯度带隙,成分易于精确控制等优点,被认为是制备高效率CIGS薄膜太阳电池的最佳工艺.目前,该工艺制备的CIGS电池的实

【作者】

：

冯金晖杜光远王赫李微赵彦民乔在祥

【机构】

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中国电子科技集团公司第十八研究所化学与物理电源重点实验室,北京机电工程研究所

【出处】

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电源技术

【发表日期】

：

2014年4期

【关键词】

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Cu(In Ga)Se2薄膜共蒸发工艺太阳电池及组件商业化生产 Cu（In Ga）Se2 thin film evaporation process

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多元共蒸发技术制备的Cu（In,Ga）Se2（CIGS）薄膜具有结晶质量高,梯度带隙,成分易于精确控制等优点,被认为是制备高效率CIGS薄膜太阳电池的最佳工艺.目前,该工艺制备的CIGS电池的实验室转换效率已经超过20％,通过改进和优化共蒸发工艺流程,继续提高电池性能、发展柔性衬底薄膜电池、尽快将实验室技术转移为CIGS电池组件的商业化生产成为新的研究热点.主要介绍了共蒸发工艺的特点,以及近年来在制备CIGS薄膜太阳电池及组件方面的研究进展.

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