微分脉冲极谱测定痕量铊的研究

来源 :电子科技大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：larry_john

【摘要】

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在pH值为5～10的范围内,铊(Ⅰ)与4-吗啉二硫代羧酸钾生成不溶于水的螯合物并定量的吸附在微晶萘的表面上.用15ml 的1.5 mol/L的HCl该不溶性螯合物脱附溶解后,在滴汞电极(DME)上

【作者】

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何为范中晓霍彩红

【机构】

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电子科技大学微电子与固体电子学院

【出处】

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电子科技大学学报

【发表日期】

：

2004年3期

【关键词】

：

铊微分脉冲极谱滴汞电极 4-吗啉二硫代羧酸钾 thalliumdifferential pulse polarographydropping mercury

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在pH值为5～10的范围内,铊(Ⅰ)与4-吗啉二硫代羧酸钾生成不溶于水的螯合物并定量的吸附在微晶萘的表面上.用15ml 的1.5 mol/L的HCl该不溶性螯合物脱附溶解后,在滴汞电极(DME)上用微分脉冲极谱(DPP)法测定痕量的铊(Ⅰ)取得了很好的效果.该分析方法的检测限达到0.025μg/ml,所测定的铊(Ⅰ)浓度的线性范围达到0.05～10μg/ml,标准曲线的相关系数γ=0.999 5,相对标准偏差为±0.90.

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