【摘 要】
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提出了一种新颖的GaAs基p沟异质结场效应管(pHFET)概念,器件采用了In0.5Ga0.5P/GaAs异质系统及二维空穴气(2DHG)原理以改善GaAs的空穴输运特性.据此原理研制的器件可在室温下
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提出了一种新颖的GaAs基p沟异质结场效应管(pHFET)概念,器件采用了In0.5Ga0.5P/GaAs异质系统及二维空穴气(2DHG)原理以改善GaAs的空穴输运特性.据此原理研制的器件可在室温下工作,其实验结果为:室温下,饱和电流Idss＝61 mA/mm,跨导gm＝41 mS/mm;77 K下,饱和电流Idss＝94 mA/mm,跨导gm＝61 mS/mm.预计该器件在微波和数字电路中极佳的电流密度及高频增益,因而具有良好的应用潜力.
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