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分别对两种不同的6H-SiC晶体进行了总通量为5.74×10^18n.cm^-2、8.2×10^18n.cm^-2和1.72×10^19n.cm^-2的不同剂量的中子辐照,利用X射线衍射等手段观测了中子辐照引起的晶体内部损伤。结果表明：两种样品在不同的中子通量辐照下,消除部分原始缺陷的、纯度较高的样品辐照后的内部损伤明显小于纯度较低、内部原始缺陷较多的样品。样品的辐照损伤不仅取决于中子辐照剂量,还取决于其辐照时的成分和结构。晶体的结构缺陷和杂质,作为一种＂钉扎＂,在辐照过程中