【摘 要】
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用直流磁控溅射法制备了非晶C薄膜及N掺杂非晶C（a-C∶N）薄膜,用紫外-可见分光光谱仪、椭圆偏振仪、俄歇电子能谱（AES）等对薄膜进行了检测。结果表明：随源气体中N气含量的增加,透过
【机 构】
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湖南科技大学物理学院,中南大学物理科学与技术学院
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用直流磁控溅射法制备了非晶C薄膜及N掺杂非晶C（a-C∶N）薄膜,用紫外-可见分光光谱仪、椭圆偏振仪、俄歇电子能谱（AES）等对薄膜进行了检测。结果表明：随源气体中N气含量的增加,透过率和折射率变小,而光学带隙先增大后减小;当薄膜中N的含量很少,N的掺入对sp3杂化C起稳定作用,使得薄膜光学带隙Eg增大。而较高量N的掺入抑制了sp3杂化C的形成,提高了薄膜中sp2键含量,使得薄膜光学带隙变小。参数D定义为俄歇电子能谱（AES）中最大正峰和最低负峰之间的距离,用俄歇电子能谱中的D值来计算薄膜的sp2键的百分
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