InAs／GaInSb应变层超晶格材料的界面结构

来源 :功能材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhangxi0922

【摘要】

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介绍了InAs/GaInSb应变层超晶格材料的界面结合类型及其对材料界面结构和光电性能的影响,分析了在超晶格界面处的原子置换和扩散现象.同时,总结了分子束外延生长过程中控制In

【作者】

：

邱永鑫李美成赵连城

【机构】

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哈尔滨工业大学

【出处】

：

功能材料

【发表日期】

：

2005年9期

【关键词】

：

应变层超晶格 InAs/GaInSb 界面结构分子束外延 strained-layer superlattice InAs/GaInSb interfac

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介绍了InAs/GaInSb应变层超晶格材料的界面结合类型及其对材料界面结构和光电性能的影响,分析了在超晶格界面处的原子置换和扩散现象.同时,总结了分子束外延生长过程中控制InAs/GaInSb超晶格界面结构的生长工艺,指出采用原子迁移增强(MEE)外延生长技术,可以有效地抑制界面处原子的置换和扩散现象.

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