AlInGaN量子阱垒层材料的优化

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhao330300096

【摘要】

：

采用K·p方法理论，考虑了极化电场和自由载流子重新分布等因素，通过薛定谔方程和泊松方程自洽求解得到InGaN／AIlnGaN，InGaN／GaN，InGaN／InGaN，InGaN／A1GaN量子阱导带和价带的能带结

【作者】

：

文锋刘德明黄黎蓉

【机构】

：

华中科技大学光电子科学与工程学院,华中科技大学武汉光电国家实验室

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2007年6期

【关键词】

：

AIInGaN 极化电场自发发射谱垒材料 AIlnGaN polarized field spontaneous emission spectrum bar

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采用K·p方法理论，考虑了极化电场和自由载流子重新分布等因素，通过薛定谔方程和泊松方程自洽求解得到InGaN／AIlnGaN，InGaN／GaN，InGaN／InGaN，InGaN／A1GaN量子阱导带和价带的能带结构，并由此计算了不同量子阱结构的自发发射谱，分析对比发现AIlnGaN材料特有的自发极化和压电极化效应在阱垒界面处形成的极化电荷对量子阱发光特性有重要的影响。以AIlnGaN为垒，优化其中各元素的组分可以减小极化电场的影响，提高量子阱自发发射谱强度。同时，综合考虑了极化电荷和势垒高度

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