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采用选择混合InGaAsP-InGaAsP量子阱技术，研制出单脊波导结构的两段可调谐分布布拉格反射(DBR)激光器．激光器的阈值电流为51mA，可调谐范围为4．6nm，边模抑制比(SMSR)为40dB．
用选择混合InGaAsP-InGaAsP量子阱技术研制的两段波长可调谐分布布拉格反射激光器
【摘 要】
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采用选择混合InGaAsP-InGaAsP量子阱技术，研制出单脊波导结构的两段可调谐分布布拉格反射(DBR)激光器．激光器的阈值电流为51mA，可调谐范围为4．6nm，边模抑制比(SMSR)为40dB．
【机 构】
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中国科学院半导体研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2003年9期
【基金项目】
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国家重点基础研究发展规划资助项目~~
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