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Si材料在微电子集成领域有着不可替代的地位。然而,在光电集成领域,由于Si为间接带隙半导体材料,Si材料本身并不是很适合用来制作发光器件。但是,成熟的微电子制造技术促使Si基光电器件的研究受到了越来越多的关注。本文介绍了在全硅发光取得新突破的PERL型Si基LED,分析了该结构中提高发光效率的关键技术,并对此结构进行评述,给今后的全硅发光研究领域提供了一个新的思路。