ZnO作为电子传输层的绿光胶体CdSe量子点LED(QD-LED)的制备与表征

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通过调节作为发光层的量子点的尺寸,可以制作出覆盖可见光(380~780 nm)以及近红外光谱的量子点LED(QD-LED),其光谱范围很窄且半高宽可达30 nm。然而量子点LED的寿命、亮度以及效率需要进一步提高才能满足商业化的需求。为了研究QD-LED器件的特性,本文采用523 nm波长的CdSe/ZnS核壳型量子点为发光层、poly-TPD为空穴传输层、ZnO为电子传输层,制备了绿光量子点LED,并表征了器件的特性。
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