SiC是一种在高功率和高温应用中涌现的非常重要的半导体材料。研究了一种国产SiC MESFET器件在300℃温度应力下,存储1 000 h Ti/Pt/Au栅肖特基势垒接触的稳定性以及器件电学
使用TCAD仿真工具Sentaurus在45 nm节点工艺下模拟研究了包含多应力结构的应变Si CMOS器件。模拟所得的开关电流比与相同节点工艺下报道的实验结果能很好吻合,验证了所用模型
电网企业是社会生产与人们生活都离不开的民生企业,对于我国经济发展具有巨大的支撑作用,同时也巨大的促进着经济的不断增长。现阶段,我国经济处于改革时期,为了适应新的经济