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目的观察半导体激光照射预防及缓解根管治疗急性反应（endodontic interappointment EIAE）的效果。方法选取需进行根管治疗的患有牙髓炎及根尖周炎的牙病患者304例，随机分为2组，在进行根管预备及樟脑酚棉捻开放后，其中1组（155例）应用半导体激光在牙体外辐射根尖区，另1组不作处置，24h后观察记录患者主观症状和体征，比较2组根管治疗急性反应发生率。另选取根管充填后发生急性反应的牙病患者175例，随机分为2组，1组（96例）应用半导体激光在牙体外辐射根尖区；另1组（79例）给予口服甲