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电荷耦合器件CCD（Charge Coupled Device，CCD）作为卫星光通信系统中光信标子系统的关键部件，它的工作性能直接影响着光通信系统的整体性能。根据Shockley—Read—Hall理论，对粒子辐照条件下CCD器件的暗电流变化进行了深入的理论分析，依据理论分析展开数值模拟计算。结果表明：P沟道CCD辐照后的平均暗电流密度随温度的升高而增加、随辐照注量的提高而增大，暗电流尖峰产生的位置具有强烈的随机特性；温度较粒子辐照注量更能有效影响平均暗电流密度以及暗电流尖峰的产生，温控器件以及温控技术