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此文从最简单最基本的三重扩散3DBiCMOS制作工艺技术入手,分析了BiCMOS制作工艺的特征,重点探讨了双阱BiCMOS工艺处理方法,进行了CMOS,双极晶体管和BiCMOS工艺对比分析,对BiCMOS制作工艺及性能提高的前景进行探讨与研究.
基于BiCMOS制作技术的探讨与研究
【摘 要】
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此文从最简单最基本的三重扩散3DBiCMOS制作工艺技术入手,分析了BiCMOS制作工艺的特征,重点探讨了双阱BiCMOS工艺处理方法,进行了CMOS,双极晶体管和BiCMOS工艺对比分析,对BiC
【机 构】
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西安航空技术高等专科学校
【出 处】
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测试技术学报
【发表日期】
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2004年z1期
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