【摘 要】
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我们取消了τ_n=τ_p的条件,取消了无限吸收的限制,考虑了表面复合,得到了本征光导器件探测率D_4的表达式。 在本文得到的D公式中,出现了τ_(PEM),但公式中这个量的影响很小,
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我们取消了τ_n=τ_p的条件,取消了无限吸收的限制,考虑了表面复合,得到了本征光导器件探测率D_4的表达式。 在本文得到的D公式中,出现了τ_(PEM),但公式中这个量的影响很小,完全可以略去。 计算表明,77°K、P型InSb光导器件,在通常的表面复合速度下,最佳厚度约3μm。D_A随多数载流子浓度的降低而增高,但由于背景限制,过低的浓度非但困难,也无必要。
We canceled the condition of τ_n = τ_p and canceled the limitation of infinite absorption. Considering the surface recombination, we obtained the expression of detection rate D_4 of intrinsic photoconductive device. In the D formula obtained in this paper, there appears τ_ (PEM), but the effect of this quantity in the formula is very small and can be omitted completely. Calculations show that the optimum thickness for a 77 ° K, P-type InSb photoconductive device at a typical surface recombination velocity is about 3 μm. D_A increases with decreasing majority carrier concentration, but due to background limitations, too low a concentration is not only difficult but also not necessary.
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