【摘 要】
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<正>在CMOS集成电路中,时常发生断铝现象,特别是硅栅MOS集成电路,由于采用多晶硅—铝的多层结构,用低温淀积SiO2膜作为硅—铝间的绝缘层。因此,在铝连线和多晶硅条交叉处及开
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<正>在CMOS集成电路中,时常发生断铝现象,特别是硅栅MOS集成电路,由于采用多晶硅—铝的多层结构,用低温淀积SiO2膜作为硅—铝间的绝缘层。因此,在铝连线和多晶硅条交叉处及开孔处,铝条要爬很高的台阶,容易发生断铝或使铝条变窄,严重影响器件成品率和可靠性。为了克服台阶处的断铝现象,我们采用了磷硅玻璃（PSG）回流的方法,利用磷硅玻璃膜在高温下可以软化的性质,作为硅—铝之间的绝缘膜,在一定的温度下使其变软
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