新的双层介质的InP MIS结构

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本文提出了一种由真空蒸发法淀积的SiO薄膜和在P_2O_5气氛中进行InP的热氧化而形成的 InP本体氧化层(native oxide)所组成的新的双层介质 InP MIS结构.通过高频C-V特性的测量得到了较好的界面特性,其中最小界面态密度达8.5×10~(10)cm~(-2)eV~(-1).本文还通过俄歇电子能谱(AES)的测量探讨了上述InP的本体氧化层在改善InP MIS结构的界面特性方面所起的作用. In this paper, we propose a new two-layer InP MIS structure composed of SiO thin film deposited by vacuum evaporation and InP bulk oxide formed by thermal oxidation of InP in P 2 O 5 atmosphere. CV measurement showed good interfacial properties, in which the minimum interface state density reached 8.5 × 10 ~ (10) cm ~ (-2) eV ~ (-1) .According to Auger electron spectroscopy The role of bulk InP oxide in improving the interfacial properties of InP MIS structures was investigated.
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