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基于费密金色的统治和 Boltzmann 碰撞术语近似的理论，散布拉紧的 Si/(111 ) Si1x Ge x 的机制的洞被建立包括电离杂质，散布的声学的声子，非极的光声子和总数评估模型。精力什么时候是 0.04 eV，被发现在拉紧的 Si/(111 ) Si1x Ge x 的洞的全部的散布率与增加的压力显然减少了。与不勉强的 Si 之一比较，散布拉紧的 Si/(111 ) Si1x Ge x 的率的全部的洞减少了大约 38% 至多。减少的洞散布率在拉紧的 Si 材料提高了洞活动性。结果能提供珍贵参考书