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本文主要针对低压功率开关管的功耗进行了理论分析，并在此基础上分别对两种典型结构的沟槽栅MOSFET和e—JFET在不同工作频率下的功耗分布和总功耗进行了定量的仿真计算和对比。通过研究发现，在一定工作条件下，常闭型e-JFET比目前常用的沟槽栅型MOSFET仅开关功耗就降低约24％，总功耗则降低约30％。将其运用于CPU电源电路中的开关功率管的制造，在高频领域有着极好的应用前景。