SOI近红外Si0.8Ge0.2／Si横向pin探测器的研制

来源 :光电子·激光 | 被引量 : 0次 | 上传用户：shuxiaopei110

【摘要】

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给出了SOI近红外Si0.8Ge0.2/Si横向pin光电探测器的设计和制作过程.对制得的样管进行了典型光电参数的测试.测试结果表明,探测器的响应波长范围为0.4～1.3 μm,峰值响应波长在0

【作者】

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莫太山张世林郭维廉郭辉郑云光

【机构】

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天津大学电子信息工程学院微电子系

【出处】

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光电子·激光

【发表日期】

：

2003年12期

【关键词】

：

SOI 近红外 Si0.8Ge0.2/Si横向pin探测器响应波长响应峰值光电性能 Semiconducting germanium compoundsS

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给出了SOI近红外Si0.8Ge0.2/Si横向pin光电探测器的设计和制作过程.对制得的样管进行了典型光电参数的测试.测试结果表明,探测器的响应波长范围为0.4～1.3 μm,峰值响应波长在0.93～0.97 μm,峰值波长下响应度达0.38 μA/μW,与Si光电探测器相比,出现明显的响应波长范围和响应峰值波长红移,光电性能达到了预先的设计目标.

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