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从HJFET的物理模型出发,提出了反沟道HJFET的电路模型,分析其等效电路,并在此基础上设计并制作了一个反沟道振荡器.
X波段低相噪VCO设计
【摘 要】
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从HJFET的物理模型出发,提出了反沟道HJFET的电路模型,分析其等效电路,并在此基础上设计并制作了一个反沟道振荡器.
【机 构】
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电子科技大学电子工程学院
【出 处】
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中国无线电
【发表日期】
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2005年11期
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