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针对超宽带、高功率和高效率放大器的设计和制作难点问题,设计了一种基于0.25μm GaN工艺和以SiC为衬底的高电子迁移率晶体管技术(High Electron Mobility Transistor,HEMT),实现了2~12 GHz高功率和高效率的宽带单片微波集成电路放大器。通过采用非均匀分布式放大电路结构、优化电路的静态直流工作点、采用宽带匹配技术等措施,保证了电路的带宽、功率和效率指标。该单片放大器芯片尺寸为3.35 mm×2.60 mm,芯片测试结果表明在2~12 GHz频率范围内,漏