铁电存储器在FPGA中应用的初步研究

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【摘要】

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提出了一种全新的基于铁电存储器FeRAM编程的非挥发FPGA思想(概念),它主要是针对基于SRAM的FPGA的掉电挥发性问题提出的.文章在采用传统2T-2C结构的铁电存储单元的基础上完成

【作者】

：

严杰锋林茵殷汤庭鳌程旭

【机构】

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复旦大学

【出处】

：

微电子学

【发表日期】

：

2003年6期

【关键词】

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铁电存储器 FPGA 掉电挥发性现场可编程门阵列 FERAM Memory Ferroelectric random access memory Ferroe

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提出了一种全新的基于铁电存储器FeRAM编程的非挥发FPGA思想(概念),它主要是针对基于SRAM的FPGA的掉电挥发性问题提出的.文章在采用传统2T-2C结构的铁电存储单元的基础上完成数据的编程操作,并进一步对上述单元进行了电路和时序上的调整设计,提出了在FPGA工作环境下虽破坏性读出但无需回写的铁电存储单元.通过对文中提及的两种单元电路的仿真模拟,实现了编程数据的掉电保护、上电恢复的非挥发功能,初步验证了基于FeRAM编程的非挥发FPGA思想的正确性和可行性.

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