MOS型场效应管的VHDL-AMS行为建模与仿真

来源 :北京电子科技学院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ppmm112233
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本文提出一种基于SPICE模型半导体器件的VHDL-AMS行为建模方法,给出了MOS场效应管模型中温度效应、噪声、直流和电容方程的行为模型,最后以CMOS反相器电路为例在混合信号仿真器SMASH5.72中验证了该行为模型的正确性。
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