【摘 要】
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对传统的SOI压阻式压力传感器进行了结构优化。目的是提高灵敏度,以满足在高温环境下大量程压力测量的实际需求。通过力学性能模拟,采用浅凸台结构来提高灵敏度和测量范围。
【机 构】
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中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,中北大学电子测试技术国防科技重点实验室
【基金项目】
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funded by the National Science Foundation for Distinguished Young Scholars of China（51425505）, National Natural Science Foundation of China（51405454）
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对传统的SOI压阻式压力传感器进行了结构优化。目的是提高灵敏度,以满足在高温环境下大量程压力测量的实际需求。通过力学性能模拟,采用浅凸台结构来提高灵敏度和测量范围。分析并模拟了凸台厚度和形状对灵敏度的影响。得到了适合高温工作的掺杂浓度,压敏电阻的尺寸,金属引线的材料和布局。电阻放置在（σl-σt）最大的区域以保持灵敏度和线性度。采用U形电阻补偿在浅凸台制作过程中的工艺偏差对灵敏度的影响。有限元分析（FEA）表明,优化后的芯片结构可以测量10 MPa范围内的压力,灵敏度高达86.6 m V/（V·
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