【摘 要】
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IBM和Infineon本周将联合公布一份报告 ,共同推广“磁性随机内存”(RandomAccessMemory)。据悉 ,这种可望取代现在手机闪存的新式内存将于 2 0 0 5年实现商品化。磁性随机内
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IBM和Infineon本周将联合公布一份报告 ,共同推广“磁性随机内存”(RandomAccessMemory)。据悉 ,这种可望取代现在手机闪存的新式内存将于 2 0 0 5年实现商品化。磁性随机内存 (MRAM )结合了磁性技术和半导体两种制造技术。在MRAM中 ,芯片上的每个储存单元都具有一个微型的磁场。计算机根据测量磁场发出的电阻来判断存储单元是处于“1”或者是“0”的状态。现在用于手机数据储存的传统闪存也根据同样原理工作 ,但它判断 1,0状态所需的电量比较大。而MRAM内存耗电更少 ,读取数
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