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Dickson电荷泵是最常用的产生芯片内部高压的方法。在嵌入式或者单独的非易失性存储器中,经常利用多个电荷泵来产生正的高压和负的高压。利用高压Deep N-Well的NMOS设计了可以切换极性的电荷泵,可以根据需要产生正的高压或者负的高压。这种设计的优点在于节省面积。
应用于NOR FLASH的可切换极性电荷泵研究
【摘 要】
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Dickson电荷泵是最常用的产生芯片内部高压的方法。在嵌入式或者单独的非易失性存储器中,经常利用多个电荷泵来产生正的高压和负的高压。利用高压Deep N-Well的NMOS设计了可
【机 构】
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上海博阈半导体科技有限公司,珠海博雅科技有限公司
【出 处】
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集成电路应用
【发表日期】
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2017年08期
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