UV-Hg灯光化学气相淀积SiO2薄膜的工艺研究

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xxak48

【摘要】

：

<正>一、光化学气相淀积工艺概述在集成电路的各种低温淀积技术中,光化学气相淀积(光CVD)技术.是最年轻、最有前途的.光CVD是利用光增强反应气体材料的光激活和光分解,可以在

【作者】

：

景俊海孙青孙建诚

【机构】

：

西安电子科技大学物理系,西安电子科技大学物理系,西安电子科技大学物理系

【出处】

：

半导体技术

【发表日期】

：

1989年05期

【关键词】

：

淀积速率反应室化学气相淀积 UV-Hg SiO2

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<正>一、光化学气相淀积工艺概述在集成电路的各种低温淀积技术中,光化学气相淀积(光CVD)技术.是最年轻、最有前途的.光CVD是利用光增强反应气体材料的光激活和光分解,可以在50～300℃条件下形成薄膜.与高温氧化、常压CVD相比,它可以减少温度对杂质分布的影响,降低针孔密度,避免芯片弯曲,抑制工艺中诱发新的缺

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