Al掺杂T-ZnO晶须的光致发光及场发射性能

来源 :西南交通大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：rogerfederersxt

【摘要】

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用丝网印刷法将舢掺杂的T-ZnO晶须制备成薄膜，以研究其结构形貌、光致发光及场发射性能．所有发光谱均由强的紫外光发射（发光中心集中在373-383nm）和宽的黄绿光发射（发光中心集中在

【作者】

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范希梅周祚万李艳霞张会广

【机构】

：

材料先进技术教育部重点实验室

【出处】

：

西南交通大学学报

【发表日期】

：

2008年6期

【关键词】

：

T-ZnO 晶须场发射性能紫外光发射 T-ZnO whisker field emission property ultraviolet emiss

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用丝网印刷法将舢掺杂的T-ZnO晶须制备成薄膜，以研究其结构形貌、光致发光及场发射性能．所有发光谱均由强的紫外光发射（发光中心集中在373-383nm）和宽的黄绿光发射（发光中心集中在510—540nm）组成．ZnO薄膜的内部缺陷浓度决定黄绿光发射的强度．掺杂0．5mol／L的Al样品的紫外光强度最大，场发射性能最好，其开启电场和阈值电场分别达到0．74V／μm和2．6V／μm，场增强因子值为30249．

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