(Ⅱ-Ⅵ)-(Ⅲ-Ⅴ)体系的可见光发光二极管

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利用液相外延的方法,制备了在室温下发射可见光的发光二极管。n型衬底是ZnSe或ZnSxSe_(1-x);P型层是掺有少量Ⅲ—Ⅴ族化合物的Ⅱ—Ⅵ族化合物。电流—电压特性曲线,颜色和发射面积的几何形状表明可见发射是由于空穴注入到n型层产生的。现在还没有测量效率;目前效率比较低,但是在技术逐步改进后是可以得到改善的。 Using liquid-phase epitaxy, a light-emitting diode emitting visible light at room temperature was prepared. The n-type substrate is ZnSe or ZnSxSe_ (1-x); and the p-type layer is a Group II-VI compound doped with a small amount of a Group III-V Group compound. The geometry of the current-voltage characteristic, the color and the emissive area indicate that the visible emission is due to the injection of holes into the n-type layer. There is no measurement efficiency at this time; the efficiency is low at present, but it can be improved after gradual improvement in technology.
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