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利用T-matrix方法对太赫兹波段亚波长半导体球形阵列进行了数值模拟并在数值模拟结果的基础上讨论了其光学特性。在太赫兹波段可以通过掺杂等手段调节半导体的表面等离子体特性。文中以半导体InSb为例并采用Drude模型，对单个亚波长球以及两个或多个亚波长球组成的阵列进行了数值模拟，主要以归一化消光截面为参数，讨论了不同阵元半径、不同球形单元间距、不同单元数目以及入射波不同极化方向对阵列特性的影响，为亚波长半导体球形阵列在太赫兹波段的光学特性的初步了解和潜在应用提供理论帮助。