【摘 要】
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以二氧化硅修饰的四氧化三铁为载体,灭草隆为模板分子,采用表面印迹技术制备了核-壳结构的磁性灭草隆分子印迹聚合物（ Fe3 O4@SiO2-MIPs）。采用扫描电镜（ SEM）和磁强计（ VSM）对产物
【机 构】
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齐齐哈尔大学化学与化学工程学院,齐齐哈尔市环境监测中心站
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以二氧化硅修饰的四氧化三铁为载体,灭草隆为模板分子,采用表面印迹技术制备了核-壳结构的磁性灭草隆分子印迹聚合物（ Fe3 O4@SiO2-MIPs）。采用扫描电镜（ SEM）和磁强计（ VSM）对产物的结构进行了表征。通过静态平衡结合法研究了磁性分子印迹聚合物的吸附能力、选择性。结果表明,与磁性非分子印迹聚合物相比,磁性分子印迹聚合物对灭草隆具有高选择性和高特异性吸附,最大吸附量80μmol g-1；Scatchard 分析表明,印迹聚合物存在两类不同的吸附结合位点,Langmuir模型可以很好拟合吸附等
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