溅射覆铜(Direct Plate Copper,DPC)陶瓷基板具有导热/耐热性好、图形精度高、可垂直互连等技术优势,广泛应用于功率半导体器件封装.在DPC陶瓷基板制备过程中,电镀铜层厚度及其均匀性、表面粗糙度等对基板性能及器件封装质量影响极大.对比分析了几种研磨技术对DPC陶瓷基板性能的影响,实验结果表明,砂带研磨效率高,但铜层表面粗糙度高,只适用于DPC陶瓷基板表面粗磨加工;数控研磨与陶瓷刷磨加工的铜层厚度均匀性好,表面粗糙度低,满足光电器件倒装共晶封装需求(粗糙度小于0.3 μm,厚度极差小于30μm);对于质量要求更高(如表面粗糙度小于0.1 μm,铜厚极差小于10 μm)的DPC陶瓷基板,则必须采用粗磨+化学机械抛光(Chemical-Mechanical Polishing,CMP)的组合研磨工艺.