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采用电沉积法,在[EMIm]Tf2 N离子液体中选取恒电位制备 SiGe 膜.为考察 SiGe 在工作电极表面的反应特性,在[EMIm]Tf2 N 离子液体中测试不同扫描速率下的循环伏安（CV）曲线,并利用扫描电镜和能谱分析研究 SiGe 膜的表面形貌和组分.结果表明,[EMIm]Tf2 N离子液体中SiGe的共沉积是受扩散控制的非可逆电极过程；在该离子液体中, SiGe共沉积的平均阴极传递系数α=0.175,扩散系数D0=6.64×10-7 m/s.