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通过VLSI与超纯硅材料关系的论述，阐明了我国VLSI的发展急需解决高质量的超纯硅材料。提高大直径硅片的平整度；氧、碳含量稳定、均匀、可控；提高微区电阻率的均匀性；硅表面洁净、具有密封、屏蔽的防静电包装技术是当今硅材料发展的主攻课题。超纯硅材料的完美结晶特性和超精度加工技术水平取决于基础材料（化学试剂、高纯气体）的高纯度、小颗粒和低杂质含量的控制。