类金字塔状GaN微米锥的形貌及发光性能

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：marswood

【摘要】

：

三维结构GaN基LED能够解决二维GaN基薄膜LED中存在的量子限制斯塔克效应、效率骤降、发光波长单一等问题。基于此,本文对三维类金字塔状GaN微米锥的发光性能进行了详细的研究

【作者】

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仝广运贾伟樊腾董海亮李天保贾志刚许并社

【机构】

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太原理工大学新材料工程技术研究中心,太原理工大学界面科学与工程教育部重点实验室

【出处】

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发光学报

【发表日期】

：

2019年1期

【关键词】

：

类金字塔状GaN 微米锥金属有机化合物化学气相沉积发光材料量子点 GaN micro-pyramid metal-organic chemical vap

【基金项目】

：

国家自然科学基金(61604104,21471111,51672185),山西省基础研究项目(201601D202029)资助

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三维结构GaN基LED能够解决二维GaN基薄膜LED中存在的量子限制斯塔克效应、效率骤降、发光波长单一等问题。基于此,本文对三维类金字塔状GaN微米锥的发光性能进行了详细的研究。通过金属有机化合物化学气相沉积原位沉积SiNx掩模层后,首先制备了底面尺寸为8μm、高度7.5μm的类金字塔状GaN微米锥,之后在其半极性面外延生长了3个周期的InGaN/GaN多量子阱。通过阴极荧光测试发现,类金字塔状GaN微米锥的半极性面上不同位置发光波长不同;变功率微区光致发光测试表明,类金字塔状GaN微米锥的半极性面在In

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