【摘 要】
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本文总结了Cu（In,Ga）Se2（CIGS）电池中掺杂碱金属的发展历史和一些重要成果,综述了碱金属掺杂方式对CIGS吸收层及器件性能的影响。通过分析由（NaF+KF）-PDT导致的CIGS表面结构及电学
【机 构】
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Tianjin Key Laboratory of Thin Film Devices and Technology, College of Electronic Information and Op
【基金项目】
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“扬帆计划”引进创新创业团队项目(2014YT02N037)的资助~~
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本文总结了Cu（In,Ga）Se2（CIGS）电池中掺杂碱金属的发展历史和一些重要成果,综述了碱金属掺杂方式对CIGS吸收层及器件性能的影响。通过分析由（NaF+KF）-PDT导致的CIGS表面结构及电学性能的改变,我们提出并解释了如下几个问题:（1）在低温沉积CIGS薄膜过程中,Na促进了CuInSe2的优先形成,排挤Ga向Mo衬底扩散,造成CIGS薄膜的分层现象;（2）Na原子钝化CIGS晶界及表面缺陷从而提高空穴载流子浓度的相关机制;（3）过渡层减薄提高了短路电流(JSC)而不产生开路电压(VOC)损失,这不仅归因于化学浴沉积初期过渡层较好的包覆性,还在于受主缺陷VCu–转型为施主缺陷CdCu+时密度的增加,强化了同质浅埋结;（4）（NaF+KF）-PDT使CIGS吸收层表面价带降低,进一步抑制了CIGS吸收层和过渡层界面的复合,是提高电池开路电压与填充因子的重要原因。
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