【摘 要】
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提出一种用于单电子自旋探测微悬臂梁的制作方法。采用顶层Si厚度为1μm的SOI硅片,在器件层刻蚀出悬臂梁图形后,利用热氧化将Si梁减薄至0.5μm,同时生成SiO2保护层。在KOH溶
【机 构】
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中国科学技术大学精密机械与精密仪器系
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提出一种用于单电子自旋探测微悬臂梁的制作方法。采用顶层Si厚度为1μm的SOI硅片,在器件层刻蚀出悬臂梁图形后,利用热氧化将Si梁减薄至0.5μm,同时生成SiO2保护层。在KOH溶液进行体硅刻蚀过程中,以黑蜡和SiO2保护层作为正面保护,之后用溶液置换方法完成埋氧层去除及悬臂梁清洗过程。悬臂梁尺寸为465μm×10μm×0.5μm,室温真空中Q值为23000,在低温环境中可以满足单电子自旋探测要求。分析比较了球体、圆锥体、圆柱体三种磁针尖磁场梯度分布,为磁针尖结构设计提供了依据。
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