【摘 要】
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采用分子动力学模拟方法研究了样品温度对Ar+与SiC样品表面相互作用的影响.由模拟结果可知,SiC样品中Si原子的溅射产额随着温度的升高而增加,而温度对C原子的溅射产额影响不
【机 构】
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四川大学原子核科学技术研究所辐射物理及技术教育部重点实验室,贵州大学等离子体与材料表面作用研究所,核工业西南物理研究院,荷兰皇家科学院等离子体所
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采用分子动力学模拟方法研究了样品温度对Ar+与SiC样品表面相互作用的影响.由模拟结果可知,SiC样品中Si原子的溅射产额随着温度的升高而增加,而温度对C原子的溅射产额影响不大.在相同温度下,Si原子的溅射产额要高于C原子的溅射产额.溅射出来的Si原子和C原子主要来源于样品的表层区域,样品中的Si和C原子密度、键密度及它们的成键方式也发生了较大的变化.初始样品中Si和C原子的密度是均匀的,而被轰击过后的样品表面Si原子的密度要高于C原子,而样品中部C原子的密度要高于Si原子.初始样品都是Si-C键,成键方
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