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垂直于栅极冷阴极六角排列的碳纳米管（CNTs）阵列是最具有应用前景的CNTs场发射平面显示器结构。计算了该结构尖端及侧壁的电势和电场分布以及场增强因子。计算结果表明：CNTs尖端处电场强度很大，随着半径r的增加，电场强度急剧减小；CNTs长径比L／r越大，尖端电场越强；栅孔半径R越大，CNTs顶端电场强度越小。