【摘 要】
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在纳米电子器件时代，来自量子隧穿和电容耦合等问题的挑战，使得Flash半导体存储器的发展遇到瓶颈。阻变存储器是忆阻器在二值情况下的特殊应用，因其结构简单、高密度、高速、低
【机 构】
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中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室,国防科技大学电子科学与工程学院
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在纳米电子器件时代，来自量子隧穿和电容耦合等问题的挑战，使得Flash半导体存储器的发展遇到瓶颈。阻变存储器是忆阻器在二值情况下的特殊应用，因其结构简单、高密度、高速、低功耗、与CMOS工艺兼容以及具备三维集成能力，成为最具发展潜力的下一代非易失存储技术之一。在国内外学者的共同努力下，阻变存储器的研究已经取得了诸多突破性的进展。本文主要综述阻变存储器的发展历程、材料体系和阻变机理，并总结展望了阻变存储器进一步发展的优势和面临的挑战。
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