研究ITO薄膜制备工艺对正装LED光电性能的影响

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ITO(氧化铟锡)薄膜是一种重掺杂、 高简并的N型半导体材料,具有较高的可见光透过率、 导电率、 机械物理硬度和稳定的化学性质.由于工艺设备和技术参数的不一致,导致沉积ITO薄膜的物理光电性质和原子结构产生较大差别.本文在O2和N2配比气氛下进行退火处理条件,制备了不同膜厚ITO薄膜,研究了退火处理温度、时间、气氛配比和膜厚对ITO薄膜结构与性能的影响.结果表明:在一定的退火温度内,较高的退火温度有利于提高ITO薄膜透过率,ITO薄膜的晶体结构随着沉积温度的上升更完善.较长的退火时间有利于ITO薄膜与O2充分反应,有利于提高ITO薄膜透过率,降低面电阻,快速热退火的最佳时间为210s.当氮气氧气流量比为99:1时,薄膜的透过率最高,且热量分布均匀.
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