【摘 要】
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本文研究了单品-多晶硅P+N结二极管基区载流子寿命与掺杂浓度、晶粒大小 的关系。在重掺杂 P型单晶硅上,用 LPCVD法生长多晶硅薄膜,离子注入磷后, 形成 P+N结。掺磷浓度从 5.4×1014cm-3变化到 6.0×1018cm-3,相应二
【机 构】
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大连理工大学; 机械电子工业部东北微电子研究所; 机械电子工业部东北微电子研究所;
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本文研究了单品-多晶硅P+N结二极管基区载流子寿命与掺杂浓度、晶粒大小 的关系。在重掺杂 P型单晶硅上,用 LPCVD法生长多晶硅薄膜,离子注入磷后, 形成 P+N结。掺磷浓度从 5.4×1014cm-3变化到 6.0×1018cm-3,相应二极管的 基区少数载流子寿命从1.4×10-10S减少到7.5×10-13s并且随着晶粒尺寸的增加, 寿命变大。实验结果和 Howard C.Card等人对 N型多晶硅少数载流子寿命随掺 杂浓度、晶粒大小变化的理论相符合.
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