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日本三菱化成公司和工业技术院电子技术综合研究所，研制成从横向注入电流使之发光的半导体激光器。在GaAs衬底上，生长由AlGaAs和GaAs组成的薄膜层，作成芯片。采用横向注入方式，可将作为光源的激光器和光回路集成在一块芯片上，有可能成为促进第二代集成电路——光电子集成电路——实现的关键技术。
横向注入电流的半导体激光器
【摘 要】
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日本三菱化成公司和工业技术院电子技术综合研究所，研制成从横向注入电流使之发光的半导体激光器。在GaAs衬底上，生长由AlGaAs和GaAs组成的薄膜层，作成芯片。采用横向注入方式，可将作为光源的激光器和光回路集成在一块芯片上，有可能成为促进第二代集成电路——光电子集成电路——实现的关键技术。
【出 处】
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激光与光电子学进展
【发表日期】
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1989年26期
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